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解决方案
ASAP 2021 V1 版本更新
ASAP NextGen 2021 V1 版本更新
COATING TABLE
COATING TABLE 命令能读取一个真实或复杂的反射系数和透射率值的表格，然后分配给一个对象。该表格是从用户在 ASAP 工作目录中提供的文本文件中读取的，它包括一个或多个波长在一系列入射角下s偏振和p偏振的反射率和透射率的值。在光线追踪过程中，ASAP 在表格中输入中间插入值，以缩放从物体反射或透射的光线的反射或透射功率。有一张实数表反映了光线的功率；一张复数表将光线的复振幅进行缩放，并可以对涂层表面的极化变化或者物理光学计算中对相位变化进行建模。
可以在以下地址找到 COATING TABLE 命令的用户指南
installation_dir>\Breault Research Organization\ASAP NextGen 2021 V1\User Documentation\COATING_TABLE.pdf.
GENERATION
installation_dir>GENERATION 命令会对鬼像和散射的组合生成设置上限。例如，GENERATION 2 允许两次鬼像，两次散射，或者一次鬼像和一次散射;但不允许更高的混合，如两次鬼像和两次散射。GENERATION 是由 SPLIT 与 LEVEL 指令相结合使用，SPLIT 和 LEVEL 命令分别设置鬼像和散射生成的数量上限。所有这些命令都是在光线追踪之前发出的。当鬼像和散射同时出现时，GENERATION 命令避免了追踪不需要的子光线，大大减少了计算机完成计算所需的时间。当鬼像和散射生成两代时，SPLIT 2 和 LEVEL 2, GENERATION 2 便会减少10倍甚至100倍的电脑时间。.
可以在以下地址找到 GENERATION 命令的用户指南
installation_dir>\Breault Research Organization\ASAP NextGen 2021 V1\User Documentation\GENERATION.pdf.
CPC
CPC，一种新的边缘，允许从单一边建造复合抛物面式聚光器或理想槽式聚光器。定义边缘之后，使用 SWEEP AXIS或 SWEEP DIR 命令(带有适当的参数)，然后使用 OBJECT 命令创建对象。不像AXICONIC表面的结构，CPC 边缘更容易使用，更容易渲染和导出。
可以在以下地址找到 CPC 的用户指南
EXTREMES
已经可以使用多核处理EXTREMES命令。EXTREMES 现在检查所有处理器节点中的所有选定光线，以输出全局最小值和最大值。光线数和处理器节点与每个输出最小和最大值都可以直接显示。
INTERPOLATE
已经可以使用多核处理 INTERPOLATE 命令。
可以在以下地址找到 INTERPOLATE 指令的用户指南
installation_dir>\Breault Research Organization\ASAP NextGen 2021 V1\User Documentation\INTERPOLATE_model.pdf.
光源库
加入下列新光源:
<=================== ============================== ================ ============ . Seoul Semiconductor S1W0-5050657006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050657. Seoul Semiconductor S1W0-5050577006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050577. Seoul Semiconductor S1W0-5050507006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050507 Seoul Semiconductor S1W0-5050357006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050357 Seoul Semiconductor S1W0-5050307006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050307 Seoul Semiconductor S1W0-5050277006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050277 Seoul Semiconductor S1W0-5050278006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050278 Seoul Semiconductor S1W0-5050227006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050227 Seoul Semiconductor S1W0-5050658006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050658 Seoul Semiconductor S1W0-5050578006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050578 Seoul Semiconductor S1W0-5050508006-00000000-00002 5050 6V Seoul Semiconductor S1W0-5050508006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050508 Seoul Semiconductor S1W0-5050407006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050407 Seoul Semiconductor S1W0-5050408006-00000000-00002 5050 6V Seoul Semiconductor S1W0_5050408 Seoul Semiconductor S1W0-5050358006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050358 Seoul Semiconductor S1W0-5050308006-00000000-00002 5050 6V S1W0_5050308 Seoul Semiconductor S1WM-5050657018-00000000-00002 Acrich MJT-505 S1WM_5050657 Seoul Semiconductor S1WM-5050577018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050577 Seoul Semiconductor S1WM-5050457018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050507 Seoul Semiconductor S1WM-5050407018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050407 Seoul Semiconductor S1WM-5050357018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050357 Seoul Semiconductor S1WM-5050307018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050307 Seoul Semiconductor S1WM-5050277018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050277 Seoul Semiconductor S1WM-5050658018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050658 Seoul Semiconductor S1WM-5050578018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050578 Seoul Semiconductor S1WM-5050508018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050508 Seoul Semiconductor S1WM-5050458018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050458 Seoul Semiconductor S1WM-5050408018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050408 Seoul Semiconductor S1WM-5050358018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050358 Seoul Semiconductor S1WM-5050308018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050308 Seoul Semiconductor S1WM-5050278018-00000000-00002 Acrich MJT-5050 S1WM_5050278 经过52年不断发展，已经是非常完整的设计环境。ASAP 为工程师和产品设计师提供了许多新功能，使其成为有史以来最容易使用的 ASAP，并大大改善了 ASAP 长期以来无与伦比的功能，增强了灵活性，速度和准确性。ASAP 光学仿真软件，用于分析汽车照明，成像系统，照明设备，光导管，生物光学系统，医疗设备，显示器和相干系统的真实性能。
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